參數(shù)資料
型號： IRG4BC20MD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 303K
代理商： IRG4BC20MD-SPBF
www.irf.com
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相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
IRG4BC40W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4BH20K-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BH20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4BC20SD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 19A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20SDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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