參數(shù)資料
型號： IRG4BC20MD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 303K
代理商： IRG4BC20MD-SPBF
www.irf.com
5
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#
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(
&'
1
10
100
0
200
400
600
800
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 11A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C)
0.1
1
10
100
T
RG = 50
VGE = 15V
VCC = 480V
IC = 22A
IC = 11A
IC = 5.5A
0
10
20
30
40
50
RG, Gate Resistance (
)
2.3
2.4
2.5
T
VCC = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
I C = 11A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
IRG4BC40W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4BH20K-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BH20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRG4BC20SDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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