參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP9150
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25A, 100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET
中文描述： 25 A, 100 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 59K
代理商： IRFP9150
4-68
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 16. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 17. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 18. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
t
P
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
t
ON
10%
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
+V
DS
S
DUT
D
G
I
g(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
-V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
0
I
g(REF)
IRFP9150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR220 4.6A, 200V, 0.800 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(4.6A, 200V, 0.800 Ω,nN溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU220 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(2.5A, 500V, 3.000 Ω, N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU420 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU420 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP9150_R4941 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP9151 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-247
IRFP9230 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9231 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9232 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
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