參數(shù)資料
型號： IRFP460P
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）\u003d 0.27ohm，身份證\u003d 20A條）
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代理商： IRFP460P
www.irf.com
5
IRFP460P
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP460 N-Channel Enhancement Mode MegaMOS Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.27Ω的N溝道增強型MegaMOS功率MOSFET)
IRFP4710 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A)
IRFPE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
IRFPE40 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)
IRFPE50 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=1.2ohm, Id=7.8A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP460PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP460PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFP460PPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP462 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFP4668PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 130A 2.6mOhm 161nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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