參數(shù)資料
型號： IRFP4710
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.014ohm，身份證\u003d 72A條）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 103K
代理商： IRFP4710
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1
01/08/02
IRFP4710
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
0.014
I
D
72A
PD - 94361
Parameter
Max.
72
51
300
190
1.2
± 20
8.2
Units
I
D
@ T
C
= 25
°
C
I
D
@ T
C
= 100
°
C
I
DM
P
D
@T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbf
in (1.1N
m)
A
W
W/
°
C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°
C
Absolute Maximum Ratings
High frequency DC-DC converters
Motor Control
Uninterruptible Power Supplies
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.81
–––
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°
C/W
TO-247AC
相關PDF資料
PDF描述
IRFPE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
IRFPE40 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)
IRFPE50 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=1.2ohm, Id=7.8A)
IRFPF30 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)
IRFPF40 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=2.5ohm, Id=4.7A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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