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參數(shù)資料
| 型號： | IRFP17N50LS |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）典型.\u003d 0.28ohm，身份證\u003d 16A條） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | IRFP17N50LS |
IRFP17N50LS
8
www.irf.com
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR
’
s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
11/01
SMD-247 Part Marking Information
SMD-247 Package Outline
2X R
A
0.25 [.010]
D B
0.25 [.010]
D C
A
C
B
D
1
2
3
4
2.65 [.104]
2.15 [.085]
0.20 [.225] D
2X
0.25 [.010]
D B
0.95 [.037]
0.35 [.014]
2X
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
4. TO-247 SMD IS A MODIFIED TO-247AC.
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
NOTES:
3 - SOURCE
4 - DRAIN
MOSFET
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - EMITTER
4 - COLLECTOR
2 - COLLECTOR
1 - GATE
IGBT
LEAD ASSIGNMENTS
3.0 [.118]
MAX.
2.75 [.108]
2.25 [.089]
3.65 [.143]
3.55 [.140]
2X
5.45 [.215]
1.40 [.055]
1.00 [.040]
20.30 [.799]
19.70 [.776]
5.65 [.222]
4.65 [.183]
5.50 [.217]
0.80 [.031]
0.40 [.016]
4
2.50 [.099]
1.50 [.060]
5.30 [.208]
4.70 [.186]
13.70 [.539]
13.50 [.532]
16.20 [.637]
16.00 [.630]
15.90 [.625]
15.30 [.603]
5.70 [.224]
5.30 [.209]
DATE CODE
(YYWW)
YY = YEAR
WW = WEEK
PART NUMBER
ASSEMBLY LOT CODE 3A1Q
THIS IS AN IRFP450S WITH
EXAMPLE:
LOT CODE
ASSEMBLY
3A1Q 9906
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
IRFP450S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP17N50L | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) |
| IRFP21N60L | SMPS MOSFET |
| IRFP22N60K | SMPS MOSFET |
| IRFP26N60L | SMPS MOSFET |
| IRFP340 | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFP21N60L | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP21N60LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP22N50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP22N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP22N60C3PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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