參數(shù)資料
型號： IRFP17N50LS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）典型.\u003d 0.28ohm，身份證\u003d 16A條）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFP17N50LS
IRFP17N50LS
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 13a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13b.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12a.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12d.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12c.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
160
320
480
640
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
TOP
BOTTOM
7A
10A
16A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP17N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
IRFP21N60L SMPS MOSFET
IRFP22N60K SMPS MOSFET
IRFP26N60L SMPS MOSFET
IRFP340 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP21N60L 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP21N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N60C3PBF 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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