參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP17N50LS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）典型.\u003d 0.28ohm，身份證\u003d 16A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： IRFP17N50LS
IRFP17N50LS
2
www.irf.com
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
500
–––
–––
0.6
–––
0.28 0.32
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 9.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/
°
C
V
μA
mA
5.0
50
2.0
100
-100
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25
°
C, L = 3.0mH, R
G
= 25
,
I
AS
= 16A.
I
SD
≤
16A, di/dt
≤
347A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150
°
C
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Symbol
E
AS
I
AR
E
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
390
16
22
Units
mJ
A
mJ
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
Symbol
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.56
–––
40
Units
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
Min. Typ. Max. Units
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
21
–––
51
–––
50
–––
28
–––
2760
–––
–––
325
–––
37
–––
3690
–––
–––
84
–––
159
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 9.9A
I
D
= 16A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 16A
R
G
= 7.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 400V
–––
130
33
59
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
–––
pF
–––
–––
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP17N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
IRFP21N60L SMPS MOSFET
IRFP22N60K SMPS MOSFET
IRFP26N60L SMPS MOSFET
IRFP340 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP21N60L 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP21N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N60C3PBF 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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