參數(shù)資料
型號： IRFI540N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=20A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.052ohm，身份證\u003d 20A條）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 131K
代理商： IRFI540N
IRFI540N
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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