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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | irfe430 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET TRANSISTOR |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRFE430 |
www.irf.com
7
IRFE430, JANTX-, JANTXV-, 2N6802U Device
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFE430 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRFF110 | 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET(3.5A, 100V, 0.600 Ohm，N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFF120 | 6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET(6.0A, 100V , 0.300 Ohm, N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFF120 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
| IRFF130 | 8.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET(8.0A, 100V, 0.180 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRFE9024SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 60V 5.4A 18PIN LCC - Bulk |
| IRFE9024SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 60V 5.4A 18PIN LCC - Bulk |
| IRFE9110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 2.5A 18PIN LCC - Bulk |
| IRFE9110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 2.5A 18PIN LCC - Bulk |
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