參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBA1405P
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 5.0mohm，身份證\u003d 174A章）
文件頁數(shù)： 8/9頁
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代理商： IRFBA1405P
IRFBA1405P
8
www.irf.com
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
SD
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 17.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRFBL18N50K HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用于開關(guān)模式電源))
IRFE220 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
IRFE9024 60V, P-CHANNEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBA1405PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA1405PPBF-ND 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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IRFBA22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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