參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBA1404
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 3.7mohm，身份證\u003d 206A）
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFBA1404
IRFBA1404P
www.irf.com
9
Super-220 Package Outline
2X
A
1
2
3
3X
0.25 [.010]
B A
B
4X
4
0.25 [.010]
B A
3.00 [.118]
2.50 [.099]
14.50 [.570]
13.00 [.512]
4.00 [.157]
3.50 [.138]
1.30 [.051]
2.55 [.100]
1.00 [.039]
0.70 [.028]
5.00 [.196]
4.00 [.158]
11.00 [.433]
10.00 [.394]
1.50 [.059]
0.50 [.020]
15.00 [.590]
14.00 [.552]
9.00 [.354]
8.00 [.315]
13.50 [.531]
12.50 [.493]
LEAD ASSIGNMENTS
MOSFET
2 - DRAIN
3 - SOURCE
1 - GATE
4 - DRAIN
4 - COLLECTOR
3 - EMITTER
2 - COLLECTOR
1 - GATE
IGBT
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
4. OUTLINE CONFORMS TO J EDEC OUTLINE TO-273AA.
NOTES:
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE:
439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 10/00
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.12mH
R
G
= 25
, I
AS
= 95A.
I
SD
≤
95A, di/dt
≤
150A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Notes:
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
C
oss
eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
. Refer to AN-1001
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 95A.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA1404P Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBL17N50L HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用于開(kāi)關(guān)模式電源))
IRFBL18N50K HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用于開(kāi)關(guān)模式電源))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBA1404P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBA1404PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA1405 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
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IRFBA1405PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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