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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFB20N50K |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開關(guān)電源 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRFB20N50K |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
E
A
ID
TOP
BOTTOM
9.4A
17A
20A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBA1404 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A) |
| IRFBA1404P | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A) |
| IRFBA1405 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A) |
| IRFBA1405P | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A) |
| IRFBL17N50L | HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管(用于開關(guān)模式電源)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFB20N50KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB20N50KPBF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET, 500V, 20A, TO-220AB |
| IRFB23N15 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) |
| IRFB23N15D | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| IRFB23N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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