參數(shù)資料
型號： IRF7493PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： IRF7493PBF
IRF7493PbF
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
4.0
8.0
12.0
16.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.010
0.020
0.030
RD
)
ID = 5.6A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
EA
"#
#
$#
0
20
40
60
80
ID , Drain Current (A)
0.011
0.012
0.013
RD
)
VGS = 10V
相關PDF資料
PDF描述
IRF7501 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7503 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7504 Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm)
IRF7506 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm)
IRF7507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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