參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7319
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET?? Power MOSFET
中文描述： 的HEXFET？？功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： IRF7319
IRF7319
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
N-Channel
0
300
600
900
1200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
QG
V
G
I =
5.8A
V
= 15V
DS
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7321D2PBF FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7324D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode
IRF7324D1TR FETKY MOSFET / Schottky Diode
IRF7325PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7326D2 FETKY MOSFET / Schottky Diode
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參數(shù)描述
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IRF7319TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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