參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7309
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
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代理商： IRF7309
153
IRF7309
P-Channel
Fig 18.
Typical Source-Drain Diode Forward
Voltage
Fig 21b.
Switching Time Waveforms
Fig 21a.
Switching Time Test Circuit
Fig 19.
Maximum Safe Operating Area
0.1
1
10
100
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
10ms
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
1ms
100μs
100ms
0.0
1.0
2.0
3.0
25
50
T , AmbientTemperature (°C)
75
100
125
150
A
-
D
Fig 20.
Max.Drain Current Vs. Ambient Temp.
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IRF7309QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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