參數(shù)資料
型號(hào): IRF7306
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
文件大小: 113K
代理商: IRF7306
IRF7306
Fig 12a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Gate Charge Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10 V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7309 HEXFET Power MOSFET
IRF7313PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7313 HEXFET POWER MOSFET
IRF7317 LED, LOW CURRENT, 5MM
IRF7319 HEXFET?? Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7306HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC
IRF7306PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7306QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7306QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
IRF7306QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube