參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7306
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 113K
代理商： IRF7306
IRF7306
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
A
-
G
I = -3.0A
V = -24V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 12
0.1
1
10
100
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
GS
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
1
10
100
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
100us
1ms
10ms
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PDF描述
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