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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6626 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DirectFET TM Power MOSFET |
| 中文描述： | 商標的DirectFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 643K |
| 代理商： | IRF6626 |
www.irf.com
7
DirectFET
(Small Size Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Substrate and PCB Layout, ST Outline
Fig 18.
! "#!
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
$
$
!"#""
"#""& #
$%%
+
-
+
+
+
-
-
-
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
D
D
D
D
G
S
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6635PBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6635TRPbF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6637 | DirectFETPower MOSFET |
| IRF6637TR1 | DirectFETPower MOSFET |
| IRF6665 | DIGITAL AUDIO MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6626PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RoHs Compliant |
| IRF6626TR1 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6626TR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6626TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6626TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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