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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6626 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DirectFET TM Power MOSFET |
| 中文描述： | 商標(biāo)的DirectFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 643K |
| 代理商： | IRF6626 |
www.irf.com
5
Fig 13.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = 40°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
EA
ID
TOP
5.6A
8.4A
BOTTOM 13A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
VG
ID = 50μA
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Ta = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6635PBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6635TRPbF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6637 | DirectFETPower MOSFET |
| IRF6637TR1 | DirectFETPower MOSFET |
| IRF6665 | DIGITAL AUDIO MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6626PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RoHs Compliant |
| IRF6626TR1 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6626TR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6626TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6626TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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