參數(shù)資料
型號： IRF540,
廠商： Intersil Corporation
英文描述： 28A, 100V, 0.077 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(28A, 100V, 0.077 Ohm,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 第28A，100V的，0.077 Ohm的N通道PowerMOSFET（第28A，100V的，0.077 Ohm的N溝道增強型功率馬鞍山場效應(yīng)管）
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代理商： IRF540,
6
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 16. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 17. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 18. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
g(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
IRF540, RF1S540SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF640 18A, 200V, 0.180 Ohm,, N-Channel PowerMOSFET(18A, 200V, 0.180 Ohm,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
IRF710 2.0A, 400V, 3.600 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(2.0A, 400V, 3.600 Ohm,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
IRF9233 CAP CER 250VAC 330PF X7R 1808
IRF9231 -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9232 -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IRF540/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
IRF540_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.055ヘ - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
IRF540_R4941 功能描述:MOSFET USE 512-IRF540A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF540837D 制造商:MITSUBISHI 功能描述:NEW
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