參數(shù)資料
型號： IRF630S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET
中文描述： ? -通道200伏- 0.35ohm - 9A條-采用D2PAK網(wǎng)眼密胺] MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： IRF630S
IRF630S
N - CHANNEL 200V - 0.35
- 9A - D
2
PAK
MESH OVERLAY
MOSFET
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.35
I
EXTREMELYHIGH dv/dt CAPABILITY
I
100%AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT
SALESOFFICE
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using the
company’s consolidatedstrip layout-based MESH
OVERLAY
process. This technology matches
and improves the performances compared with
standardparts from various sources.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT SWITCHING
I
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
I
DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTINGEQUIPMENT.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
December 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Parameter
Value
200
200
±
20
9
5.7
36
70
0.56
5
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V/ns
o
C
o
C
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
dv/dt(
1
)
T
stg
T
j
(
1
) I
SD
≤
9A, di/dt
≤
300 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.40
I
D
IRF630S
200 V
9 A
1
3
D
2
PAK
TO-263
(suffix ”T4”)
1/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF630ST4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB
IRF630 N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N溝道功率MOSFET)
IRF640FP N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N溝道功率MOSFET)
IRF640 N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N溝道功率MOSFET)
IRF640S N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF630SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630ST4 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630STRR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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