參數(shù)資料
型號(hào)： IRF443
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： N-CHANNEL POWER MOSFETS
中文描述： N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： IRF443
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF451 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF452 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF453 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF520 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF520FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF4435 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
IRF443R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-204AA
IRF448 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF449 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-204AA
IRF450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*