參數(shù)資料
型號(hào)： IR210SG12HCB
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCR
封裝： 4 INCH, WAFER
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： IR210SG12HCB
Junction Size:
Square 210 mils
Wafer Size:
4"
V
RRM
Class:
1200 V
Passivation Process:
Glassivated MESA
Reference IR Packaged Part:
25RIA Series
PHASE CONTROL THYRISTORS
IR210SG12HCB
Major Ratings and Characteristics
Parameters
Units
Test Conditions
V
TM
Maximum On-state Voltage
1.5 V
T
J
= 25°C, I
T
= 25 A
V
RRM
Reverse Breakdown Voltage
1200 V
T
J
= 25°C, I
RRM
= 100 A
(1)
I
GT
Max. Required DC Gate Current to Trigger
60 mA
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
V
GT
Max. Required DC Gate Voltage to Trigger
1.9 V
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
I
H
Holding Current Range
10 to 125 mA
Anode supply = 6 V, resistive load
I
L
Maximum Latching Current
200 mA
Anode supply = 6 V, resistive load
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Chip Dimensions
210 x 210 mils (see drawing)
Wafer Diameter
100 mm, with std. < 100 > flat
Wafer Thickness
370 m ± 10 m
Maximum Width of Sawing Line
130 m
Reject Ink Dot Size
0.25 mm diameter minimum
Ink Dot Location
See drawing
Recommended Storage Environment
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
Bulletin I0204J 02/97
(1) Nitrogen flow on die edge.
Document Number: 93831
www.vishay.com
1
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IR2110_1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HIGH VOLTAGE MOS GATE DRIVER
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