參數(shù)資料
型號(hào)： IGW08T120
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
中文描述： 在戴低損失和場(chǎng)終止IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： IGW08T120
Preliminary
TrenchStoP Series
IGW08T120
Thermal Resistance
Power Semiconductors
2
Preliminary / Rev. 1 Sep-03
Parameter
Symbol
Conditions
Max. Value
Unit
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction – case
Thermal resistance,
junction – ambient
Electrical Characteristic,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified
R
thJC
1.7
R
thJA
TO-247AC
40
K/W
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Static Characteristic
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter saturation voltage
V
(BR)CES
V
CE(sat)
V
GE
=0V,
I
C
=0.5mA
V
GE
= 15V,
I
C
=8A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=150
°
C
I
C
=0.3mA,
V
CE
=
V
GE
V
CE
=1200V
,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
1200
-
-
-
-
-
1.7
2.0
2.2
2.2
-
-
Gate-emitter threshold voltage
Zero gate voltage collector current
V
GE(th)
I
CES
5.0
-
-
-
-
5.8
-
-
-
5
none
6.5
0.2
2.0
100
-
V
mA
Gate-emitter leakage current
Transconductance
Integrated gate resistor
I
GES
g
fs
R
Gint
V
CE
=0V,
V
GE
=20V
V
CE
=20V,
I
C
=8A
nA
S
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IGW15N120H3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
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