參數資料
型號： IGP03N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術
文件頁數： 9/13頁
文件大小： 397K
代理商： IGP03N120H2
IGP03N120H2,
IGW03N120H2
IGB03N120H2
Power Semiconductors
9
Rev. 2, Mar-04
V
G
,
G
-
E
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0V
200V
400V
600V
800V
0A
1A
2A
3A
I
C
C
C
U
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 21. Typical turn off behavior, soft
switching
(V
GE
=15/0V,
R
G
=82
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
相關PDF資料
PDF描述
IGW03N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGB30N60T Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGP06N60T Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGP10N60T Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
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參數描述
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IGP10N60T 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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