參數(shù)資料
型號： IDT10S60C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述： 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： IDT10S60C
IDT10S60C
5 Typ. forward power dissipation vs.
6 Typ. reverse current vs. reverse voltage
average forward current
I
R
=f(
V
R
)
P
F,AV
=f(
I
F
),
T
C
=100 °C, parameter:
D
=
t
p
/
T
parameter:
T
j
7 Transient thermal impedance
8 Typ. capacitance vs. reverse voltage
Z
thJC
=f(
t
p
)
C
=f(
V
R
);
T
C
=25 °C,
f
=1 MHz
parameter:
D
=
t
p
/
T
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
100
200
300
400
500
600
V
R
[V]
C
0.01
0.02
0.1
0.2
0.5
single pulse
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
1
10
0
10
-1
10
-2
t
P
[s]
Z
t
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100
200
300
400
500
600
V
R
[V]
I
R
0.1
0.2
0.5
1
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
I
F(AV)
[A]
P
F
Rev. 2.0
page 4
2006-03-14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT16S60C 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDT77010 Data Path Interface to Utopia Level 1 Translation Device
IDT77010L155PQF Data Path Interface to Utopia Level 1 Translation Device
IE-0530HP Infrared Emitting Diode
IEEE 802.11 ()
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT10S60C_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
IDT10S60CXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
IDT12S60C 功能描述:肖特基二極管與整流器 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
IDT12S60C_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
IDT12S60CXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220
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