參數(shù)資料
型號： IDT10S60C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述： 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： IDT10S60C
IDT10S60C
1 Power dissipation
2 Diode forward current
P
tot
=f(
T
C
)
I
F
=f(
T
C
);
T
j
≤
175 °C
parameter:
R
thJC(max)
parameter:
R
thJC(max)
;
V
F(max)
3 Typ. forward characteristic
4 Typ. forward characteristic in surge current
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs
mode
parameter:
T
j
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs; parameter:
T
j
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
T
C
[°C]
125
150
175
200
P
t
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175°C
0
10
20
30
0
1
2
3
4
V
F
[V]
I
F
0
5
10
15
20
25
30
25
50
75
100
T
C
[°C]
125
150
175
200
I
F
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175°C
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
V
F
[V]
I
F
Rev. 2.0
page 3
2006-03-14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT16S60C 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDT77010 Data Path Interface to Utopia Level 1 Translation Device
IDT77010L155PQF Data Path Interface to Utopia Level 1 Translation Device
IE-0530HP Infrared Emitting Diode
IEEE 802.11 ()
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT10S60C_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
IDT10S60CXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
IDT12S60C 功能描述:肖特基二極管與整流器 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
IDT12S60C_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
IDT12S60CXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220
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