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EPC20F324C8

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EPC20F324C8 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2049ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.6nC @ 5V Vgs(最大值):+6V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):805pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 15A,5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2047ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10.2nC @ 5V Vgs(最大值):+6V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1050pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2046ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.6nC @ 5V Vgs(最大值):+6V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):345pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 20A,5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2045ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.5nC @ 5V Vgs(最大值):+6V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):685pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 16A,5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2040ENGRT 功能描述:TRANS GAN 15V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):15V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 1.5A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.93nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 6V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111
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