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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L128160AC-8 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| 中文描述： | 128 - Mbit同步低功率DRAM在CHIPSIZE套票 |
| 文件頁數(shù)： | 26/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 980K |
| 代理商： | HYE25L128160AC-8 |
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HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
26
2003-02
:ULWHDQG5HDG,QWHUUXSW
:ULWH,QWHUUXSWHGE\D:ULWH
:ULWH,QWHUUXSWHGE\D5HDG
SPT03791
CLK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ
’
s
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
NOP
Write A
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
Write B
1 Clk Interval
T5
NOP
DOUT B1
DOUT B0
Input data for the Write is ignored.
, DQ
’
s
latency = 3
t
CK3
CAS
don
’
t care
DIN A0
don
’
t care
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
, DQ
’
s
Command
latency = 2
t
CK2
CAS
NOP
T0
DIN A0
Write A
don
’
t care
Read B
T1
T2
DOUT B0
NOP
NOP
T4
T3
SPT03719
appears on the outputs to avoid data contention.
DOUT B2
Input data must be removed from the DQ
’
s
at least one clock cycle before the Read data
DOUT B1
DOUT B3
NOP
DOUT B3
NOP
DOUT B2
T6
T7
NOP
T8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.052/.068/.100/.21 |
| HYE25L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.052/.068/.178/.25 |
| HYE25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L512160AC-75 | 512MBit Mobile-RAM |
| HYB25L512160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-Mbit Mobile-RAM |
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