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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5116400BT-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-24 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 325K |
| 代理商： | HYB5116400BT-50 |
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Semiconductor Group
4
HYB 5116400BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-DRAM
Block Diagram
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(10)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (12)
Address
Buffers(12)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
4096x1024x4
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
CAS
4096
1024
x4
.
RAS
10
12
10
4
4
4
I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
OE
12
12
Voltage Down
Generator
VCC
VCC (internal)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5116400BT-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-70 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116405BT-50 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5117405BT-50 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116405BT-70 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5116400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116405BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116405BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
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