參數(shù)資料
型號: HYB511000BJL-70
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
中文描述: 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO20
文件頁數(shù): 9/22頁
文件大小: 192K
代理商: HYB511000BJL-70
Semiconductor Group
41
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
Write command setup
time
10)
t
WCS
0
0
0
ns
CAS to WE delay
time
RAS to WE delay time
10)
t
RWD
Column address to WE
delay time
10)
t
CWD
15
15
20
ns
50
60
70
ns
10)
t
AWD
25
30
35
ns
CAS setup time (CAS-
before-RAS cycle)
t
CSR
5
5
5
ns
CAS hold time (CAS-
before-RAS cycle)
t
CHR
10
15
15
ns
RAS to CAS precharge
time
t
RPC
0
0
0
ns
CAS precharge time
(CAS-before-RAS
counter test cycle)
t
CPT
25
30
40
ns
Test mode enable setup
time referenced to RAS
t
TES
0
0
0
ns
Test mode enable hold
time referenced to RAS
t
TEHR
0
0
0
ns
Test mode enable hold
time referenced to CAS
t
TEHC
0
0
0
ns
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A9, DI)
C
I1
C
I2
C
O
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, TF)
7
pF
Output capacitance (DO)
7
pF
AC Characteristics
(cont’d)
4) 13)
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-50
-60
-70
min.
max.
min.
max.
min.
max.
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PDF描述
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HYB5116400BJ-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM
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