參數(shù)資料
型號: HYB511000BJL-70
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
中文描述: 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO20
文件頁數(shù): 13/22頁
文件大小: 192K
代理商: HYB511000BJL-70
Semiconductor Group
45
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
Row
Address
Row
Address
t
CSH
t
CAS
t
CRP
t
RWC
t
AWD
t
ASR
t
RP
t
RAS
t
RAH
t
CAH
DO
(Output)
VOH
VOL
VIH
VIL
DI
(Input)
WE
VIH
VIL
t
ASR
Column
Address
t
RCD
t
DH
t
RSH
t
RAD
t
CWD
t
RWD
t
RWL
t
WP
t
CWL
t
CLZ
t
RCS
t
DS
t
CAC
t
OFF
Valid
Data in
Data Out
“H” or “L”
t
ASC
VIH
VIL
VIH
VIL
t
RAC
t
AA
RAS
CAS
A0 - A9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB5116400BJ-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50-60 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:22-41
HYB5116400BJ-60 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-70 4M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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HYB511000BZ-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BZ-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
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