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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512400AT |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CAP .0027UF 16V PPS FILM 0603 2% |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512400AT |
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Data Sheet
9
Rev. 1.2, 2004-06
512Mbit Double Data Rate SDRAM
DDR SDRAM
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T]
HYB25D512[40/80/16]0B[E/F]
1
Overview
1.1
Features
Double data rate architecture: two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used in capturing data at the
receiver
DQS is edge-aligned with data for reads and is center-aligned with data for writes
Differential clock inputs (CK and CK)
Four internal banks for concurrent operation
Data mask (DM) for write data
DLL aligns DQ and DQS transitions with CK transitions
Commands entered on each positive CK edge; data and data mask referenced to both edges of DQS
Burst Lengths: 2, 4, or 8
CAS Latency: (1.5), 2, 2.5, 3
Auto Pre charge option for each burst access
Auto Refresh and Self Refresh Modes
7.8
μ
s Maximum Average Periodic Refresh Interval
2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V and 2.6 V
±
0.1 V for DDR400
V
DD
= 2.5 V
±
0.2 V and 2.6 V
±
0.1 V for DDR400
P-TFBGA-60 and P-TSOPII-66 package
Table 1
Product Type Speed Code
Speed Grade
max. Clock Frequency
Performance
-5
DDR400B
200
166
133
-6
DDR333B
166
166
133
-7
DDR266A
143
143
133
Unit
–
MHz
MHz
MHz
@CL3
@CL2.5
@CL2
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512400AT-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400AT-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512800BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512400BR-7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT |
| HYB25D512400CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
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