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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512400AT |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CAP .0027UF 16V PPS FILM 0603 2% |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 53/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512400AT |
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Data Sheet
53
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Figure 29
Write to Precharge: Nominal DQSS (2-bit Write), Interrupting (Burst Length = 4 or 8)
DI a-
b
= Data In for bank a, column
b
.
An interrupted burst is shown, 2 data elements are written.
1 subsequent element of data in is applied in the programmed order following DI
a-b
.
t
WR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don't care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don't care at this point.
3 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
PRE
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
RP
t
DQSS
(nom)
DI a-
b
1
2
DQS
DQ
DM
1
t
WR
3
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512400AT-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400AT-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512800BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512400BR-7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT |
| HYB25D512400CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25D512800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
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