參數(shù)資料
型號： HYB25D512160BE-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù)： 71/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商： HYB25D512160BE-5
2.8
260
285
Data Sheet
71
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Normal Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
Table 20
I
DD
Specification
–7
DDR266A
–6
DDR333
–5
DDR400B
Unit
Note/Test Condition
1)
1) Test conditions for typical values:
V
DD
= 2.5 V (DDR266, DDR333),
V
DD
= 2.6 V (DDR400),
T
A
= 25
°
C, test conditions for
maximum values:
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10
°
C
2)
I
DD
specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 133 MHz for DDR266, 166 MHz for
DDR333, and 200 MHz for DDR400.
3) Input slew rate = 1 V/ns.
4) Enables on-chip refresh and address counters.
Symbol
I
DD0
Typ.
65
80
75
90
1.5
20
15
9
29
31
67
85
71
90
170
2.6
204
215
Max.
78
95
90
110
4
24
21
13
35
37
78
100
83
105
205
5.1
243
255
Typ.
75
90
85
105
1.6
25
17
11
35
37
77
105
81
110
185
2.7
234
255
Max.
90
110
100
125
4
30
24
15
41
44
90
125
95
130
220
5.2
279
310
Typ.
80
100
90
115
1.7
30
19
12
39
42
85
120
90
125
205
Max.
100
120
110
140
4
36
26
16
47
50
100
145
105
150
245
5.2
310
340
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
×
4/
×
8
2)3)
×
16
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
3)
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
3)
3)
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
3)4)
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
相關PDF資料
PDF描述
HYB25D512400BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
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HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
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