參數(shù)資料
型號: HYB25D512160BE-5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述: 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù): 43/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商: HYB25D512160BE-5
Data Sheet
43
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Figure 19
Write to Write (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(max)
Maximum DQSS
NOP
Write
NOP
NOP
NOP
Write
DI a-
b
= data in for bank a, column
b
, etc.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-
b
.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-
n
.
A non-interrupted burst is shown.
Each Write command may be to any bank.
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
Minimum DQSS
NOP
Write
NOP
NOP
NOP
Write
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
BAa, COL b
BAa, COL n
BA, COL b
BA, COL n
t
DQSS
(min)
DI
a-b
DI a-
n
DI
a-b
DI a-
n
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512400BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512400BR-7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT
HYB25D512400CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: