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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D256800AT-7 |
| 英文描述： | ?256Mbit (32Mx8) DDR266A (2-3-3)? |
| 中文描述： | ？的256Mbit（32Mx8）DDR266A（2-3-3）？ |
| 文件頁數(shù)： | 51/76頁 |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25D256800AT-7 |
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2002-05-06
Page 51 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
DC Electrical Operating Conditions
(0°C
≤
T
A
≤
70
°
C;
V
D
DQ
= 2.5V
±
0.2V,
V
DD
=
+
2.5V
±
0.2V)
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
N
otes
V
DD
Supply Voltage
2.3
2.7
V
1
V
DDQ
I/O Supply Voltage
2.3
2.7
V
1
V
SS
, V
SSQ
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
0
0
V
V
R
E
F
I/O Reference Voltage
0.4
9
x V
DDQ
0.51 x V
DDQ
V
1, 2
V
TT
I/O Termination Voltage (System)
V
R
E
F
0.04
V
R
E
F
+
0.04
V
1, 3
V
I
H
(DC)
Input
H
igh (Logic1) Voltage
V
R
E
F
+
0.15
V
DDQ
+
0.3
V
1
V
IL(DC)
Input Low (Logic0) Voltage
0.3
V
R
E
F
0.15
V
1
V
I
N
(DC)
Input Voltage Level, CK and CK Inputs
0.3
V
DDQ
+
0.3
V
1
V
ID(DC)
Input Differential Voltage, CK and CK Inputs
0.36
V
DDQ
+
0.6
V
1, 4
VI
Ratio
VI-Matching Pullup Current to Pulldown Current
0.71
1.4
5
I
I
Input Leakage Current
Any input 0V
≤
V
≤
V
(All other pins not under test
=
0V)
2
2
μ
A
1
I
O
Z
Output Leakage Current
(DQs are disabled; 0V
≤
V
out
≤
V
DDQ
Output
H
igh Current,
N
ormal Strength Driver (V
OUT
=
1.
9
5 V)
Output Low Current,
N
ormal Strength Driver (V
OUT
=
0.35 V)
5
5
μ
A
1
I
O
H
15.2
mA
1
I
OL
15.2
mA
1
1. Inputs are not recognized as valid until V
R
E
F
stabilizes.
2.
V
R
E
F
is expected to be equal to 0.5 V
DDQ
of the transmitting device, and to track variations in the DC level of the
same. Peak-to-peak noise on V
R
E
F
may not exceed
±
2
%
of the DC value.
3.
V
TT
is not applied directly to the device. V
TT
is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set
equal to V
R
E
F
, and must track variations in the DC level of V
R
E
F
.
4.
V
ID
is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input level on CK.
5. The ration of the pullup current to the pulldown current is specified for the same temperature and voltage, over the
entire temperature and voltage range, for device drain to source voltage from 0.25 to 1.0V. For a given output, it rep-
resents the maximum difference between pullup and pulldown drivers due to process variation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D256800AT-7.5 | DDR Synchronous DRAM |
| HYB25D256800AT-8 | DDR Synchronous DRAM |
| HYB25D256800BC-7 | ?256Mb (64Mx4) FBGA DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D256800BT-5 | ?256Mbit (32Mx8) DDR400? |
| HYB25D256800BT-6 | ?256Mbit (32Mx8) DDR333 (2.5-3-3)? |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D256800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HYB25D256800AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HYB25D256800BC-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-Mbit Double Data Rate SDRAM, Die Rev. B |
| HYB25D256800BC-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?256Mb (64Mx4) FBGA DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D256800BC-7F | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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