參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D256400BT-6
英文描述： ?256Mbit (64Mx4) DDR333 (2.5-3-3)?
中文描述： ？的256Mbit（64Mx4）DDR333內(nèi)存（2.5-3-3）？
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代理商： HYB25D256400BT-6
2002-05-06
Page 7 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Block Diagram (8Mb x 16)
R
1
DQS
CK, CK
DLL
RAS
CAS
CK
CS
WE
CK
C
Column-Address
Counter/Latch
Mode
Registers
9
C
D
A0-A11,
BA0, BA1
CK
E
14
14
I/O
G
ating
DM Mask Logic
Array
(40
9
6 x 256x 32)
Sense Amplifiers
Bank1
Bank2
Bank3
12
8
1
2
2
R
16
16
16
RInput
1
1
1
1
1
32
32
2
32
clk
Data
Mask
Data
CK,
CK
COL0
COL0
COL0
clk
in
M
X
G
DQS
16
16
16
16
16
32
DQ0-DQ15,
DM
LDQS, UDQS
2
R
W
rite
F&
Drivers
Note:
This Functional Block Diagram is intended to facilitate user understanding of the operation of
the device; it does not represent an actual circuit implementation.
Note:
UDM and LDM are unidirectional signals (input only), but is internally loaded to match the
load of the bidirectional DQ , UDQS and LDQS signals.
Column
Decoder
(256
R
X
1
8
9
2
B
R
&
40
9
6
A
D
B
12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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