- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367357 > HYB25D128400AT-8 ?128Mb (32Mx4) DDR200 (2-2-2)? PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128400AT-8 |
| 英文描述： | ?128Mb (32Mx4) DDR200 (2-2-2)? |
| 中文描述： | ？128Mb的（32Mx4）DDR200（2-2-2）？ |
| 文件頁數(shù)： | 33/76頁 |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25D128400AT-8 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁
2002-05-06
Page 33 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Write to Write: Max DQSS, Non-Consecutive (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
T5
t
DQSS
(max)
N
OP
N
OP
W
rite
N
OP
W
rite
DI a-b, etc. = data in for bank a, column b, etc.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-n.
A non-interrupted burst is shown.
E
ach
W
rite command may be to any bank.
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL n
DI a-b
DI a-n
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128800AT-7 | ?128Mb (16mx8) DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D128800AT-8 | ?128Mb (16Mx8) DDR200 (2-2-2)? |
| HYB25D128800T-7 | ?128Mb (16Mx8) DDR 266A (2-3-3)? |
| HYB25D128800T-7.5 | ?128Mb (16Mx8) DDR 266B (2.5-3-3)? |
| HYB25D256160BT-8 | ?256Mbit (16Mx16) DDR200 (2-2-2)? |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128400ATL-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400ATL-7 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400ATL-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400C | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128400CC-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。