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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256324F-16 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內存[600MHz的] |
| 文件頁數(shù)： | 9/80頁 |
| 文件大小： | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-16 |
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256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256324F–16
HYB18T256324F–20
HYB18T256324F–22
Data Sheet
9
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
1
Overview
1.1
Features
Maximum clock frequency of 600 MHz
Organization: 2048K x 32 x 4 banks
4096 rows and 512 columns (128 burst start
locations) per bank
Differential clock inputs (CLK and CLK)
CAS latencies of 5, 6 and 7
Write latencies of 2, 3, 4
Fixed burst sequence with length of 4.
4n prefetch
Short RAS to CAS timing for Writes
t
RAS
Lockout support
t
WR
programmable for Writes with Auto-Precharge
Data mask for write commands
Single ended READ strobe (RDQS) per byte.
RDQS edge-aligned with READ data
Single ended WRITE strobe (WDQS) per byte.
WDQS center-aligned with WRITE data
DLL aligns RDQS and DQ transitions with Clock
Programmable IO interface including on chip
termination (ODT)
Autoprecharge option with concurrent
autoprecharge support
4K Refresh (32ms)
Autorefresh and Self Refresh
P-TBGA 144 package (11mm
×
11mm)
V
DD
/
V
DDQ
Voltage (according to
Table 1
)
Calibrated output drive. Active termination support.
Table 1
Speed Sort
Power Supply
CAS latency = 7
Key Timing and Power Supply Parameters
–1.6
2.0
±
100 mV
1.6
600
2.0
500
—
—
–0.4
0.4
0.225
- 2.0
2.0
±
100 mV
2.0
500
2.0
500
—
—
–0.4
0.4
0.225
- 2.2
2.0
±
100 mV
2.2
455
2.2
455
2.7
370
–0.45
0.45
0.25
Units
V
ns
MHz
ns
MHz
ns
MHz
ns
ns
ns
V
DD
/
V
DDQ
t
CK7 min
f
CK7 max
t
CK6 min
f
CK6 max
t
CK5 min
f
CK5 max
t
ACmin
t
ACmax
t
DQSQ
CAS latency = 6
CAS latency = 5
Access Time
RDQS-DQ Skew
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256324F-20 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256324F-22 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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