參數(shù)資料
型號： HYB18T256324F-16
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
中文描述： 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的]
文件頁數(shù)： 58/80頁
文件大?。?/td> 2026K
代理商： HYB18T256324F-16
HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Functional Description
Data Sheet
58
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
3.9.2
DTERDIS followed by Write
Figure 42
DTERDIS Command followed by Write
1. Write shown with nominal value of t
DQSS
2. WDQS can only transition when data is applied at the chip input and during pre- and postambles
3. The minimum distance between DTERDIS and Write is (CL -WL + 4) clocks.
#,+
#,+
#OM
!DDR
$ONgT #ARE
$%3
$%3
$%3
$ %3
$%3
$%3
$%3
$%3
$%3
$ %3
$%3
$%3
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7 RITE LATENCY
7$13
$1
#!3 LATENCY
7RITE LATENCY
7$13
$1
$%3
72
" #W
$ W
$ W
$ W
$ W
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72
#OM
!DDR
#OMMAND
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" #W
72
$4$
$%3
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72)4%
$4%2$)3
$ESELECT
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$4$
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$ W
$ W
$%3
$%3
$%3
$%3
$%3
$%3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T256324F-20 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256324F-22 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
HYB18T256400AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256160A-3S 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256800AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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