參數(shù)資料
型號: HYB18RL25616AC-4
英文描述: ?256M (16Mx16) 250MHz ?
中文描述: ?256M(16Mx16顯示)250MHz的?
文件頁數(shù): 33/36頁
文件大小: 869K
代理商: HYB18RL25616AC-4
HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
RL-II_xxxxx_1.2_xxxx_xx
Page 33
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
3.9
JTAG AC Operating Conditions
3.10
JTAG AC Electrical Characteristics
3.11
JTAG Timing Diagram
Parameter
Input logic high voltage, AC
Input logic low voltage, AC
Input Slew Rate
Input and Output Timing
Reference Level
Symbol
VTIH
VTIL
TTSL
VREF
min.
typ.
-
-
-
max.
Unit
V
V
V/ns
V
Notes
VREF+0.3
VSSQ-0.3
1.0
VDDQ+0.3
VREF-0.3
-
VDDQ/2
Parameter
TCK Cycle Time
TCK High Pulse Width
TCK Low Pulse Width
TCK Low to TDO Valid
TDI Set Up Time
TMS Set Up Time
TDI Hold Time
TMS Hold Time
Symbol
TTCK
TTCKH
TTCKL
TTCKDO
TTDIS
TTMSS
TTDIH
TTMSH
min.
20
10
10
-
5
5
5
5
max.
-
-
-
10
-
-
-
-
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
TTCK
TTCKH
TTCKL
TTMSH
TTMSS
TTDIH
TTDIS
TTCKDO
TCK
TMS
TDI
TDO
相關PDF資料
PDF描述
HYB18RL25616AC-5 ?256M (16Mx16) 200MHz ?
HYB18RL25632AC-3.3 ?256M (8Mx32) 300MHz ?
HYB18RL25632AC-5 ?256M (8Mx32) 200MHz ?
HYB25D128400AT-7 ?128Mb (32Mx4) DDR266A (2-3-3)?
HYB25R128160C-840 RAMBUS DRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA