參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18RL25616AC-4
英文描述： ?256M (16Mx16) 250MHz ?
中文描述： ？256M（16Mx16顯示）250MHz的？
文件頁(yè)數(shù)： 26/36頁(yè)
文件大小： 869K
代理商： HYB18RL25616AC-4
HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
Page 26
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
Figure 25 Read followed by Write, BL=4, RL = 5, WL = 1
Figure 26 Read followed by Write, write data on system bus prior read data, BL=4, RL=5, WL=1
CK#
CK
Com.
0
1
2
3
4
5
Addr.
RL = 5
DQ
WL = 1
NOP
RD
NOP
NOP
NOP
NOP
A
BA0
NOP
DQS
DQS#
t
CKDQS
Q0a
Q0d
Q0c
Q0b
6
7
WR
8
9
NOP
NOP
NOP
D1a
D1d
D1c
D1b
A
BA1
10
WR:
Dxy:
WL:
WRITE
Data part y to bank x
Write Latency
A/BAx:
address A of bank x
Don't Care
RD:
Qxy:
RL:
READ
Data part y from bank x
Read Latency
CK#
CK
Com.
0
1
2
3
4
5
Addr.
RL = 5
DQ
WL = 1
NOP
RD
NOP
NOP
NOP
NOP
A
BA0
WR
DQS
DQS#
t
CKDQS
Q0a
Q0d
Q0c
Q0b
6
7
NOP
8
NOP
D1a
D1d
D1c
D1b
A
BA1
WR:
Dxy:
WL:
WRITE
Data part y to bank x
Write Latency
A/BAx:
address A of bank x
Don't Care
RD:
Qxy:
RL:
READ
Data part y from bank x
Read Latency
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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