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參數資料
| 型號： | HY64UD16322M |
| 英文描述： | x16|3.0(VDD)3.0(VDDQ)V|70/85|Pseudo SRAM - 32M |
| 中文描述： | x16 | 3.0（VDD）在3.0（提供VDDQ）V | 70/85 |偽靜態(tài)存儲器- 32M的 |
| 文件頁數： | 11/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 350K |
| 代理商： | HY64UD16322M |
HY64UD16162M Series
11
Revision 1.7
March. 2002
MARKING INFORMATION
Index
HYUD16162M
HY
U
D
16
16
2
M
: Part Name
: HYNIX
: Power Supply
: Tech. + Classification
: Bit Organization
: Density
: Mode
: Version
: 3.0V(2.7V~3.3V)
: 1T+1C
: x16
: 16M
: 1CS with /UB,/LB;tCS
: 1
st
Generation
c
ss
: Power Consumption
: Speed
: D – Low Low Power
: 70 – 70ns
85 – 85ns
: E – Extended(-25 ~ 85
°
C)
I – Industrial(-40 ~ 85
°
C)
t
: Temperature
yy
ww
p
: Year (ex : 01 = year 2001, 02= year 2002)
: Work Week ( ex : 12 = work week 12 )
: Process Code
xxxxx
: Lot No.
KOR
: Origin Country
Note
- Capital Letter
- Small Letter
: Fixed Item
: Non-fixed Item
Package
Marking Example
FBGA
H
Y
U
D
1
6
1
6
2
M
c
s
s
t
y
y
w
w
p
x
x
x
x
x
K
O
R
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY64UD16322M-DF70E | PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64UD16322M-DF70I | PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64UD16322M-DF85E | PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64UD16322M-DF85I | PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HYB-1 | Wideband Impedance Transforming 180 3dB Hybrid 1-300 MHz |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY64UD16322M-DF70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64UD16322M-DF70I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322M-DF85E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|2MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64UD16322M-DF85I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322M-E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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