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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY63V8400 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Kx8Bit CMOS FAST SRAM |
| 中文描述： | 512Kx8Bit的CMOS快速靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | HY63V8400 |
HY63V8400 Series
Rev.02 / Jan.99
7
FUNCTIONAL DESCRIPTION
I/O Pin
/CS
/WE
/OE
/LB
/UB
MODE
I/O1 - I/O8
High-Z
I/O9 - I/O16
High-Z
Supply Current
H
L
L
X
H
X
X*
H
X
X
X
H
L
H
L
L
H
L
X
X
H
H
L
L
H
L
L
Not Select
Isb,Isb1
Output Disable
High-Z
High-Z
Icc
Dout
High-Z
Dout
Din
High-Z
Din
High-Z
Dout
Dout
High-Z
Din
Din
L
H
L
Read
Icc
L
L
X
Write
Icc
*
NOTE : X means Don,t Care
DATA RETENTION ELECTRIC CHARATERISTIC
(T
A
= 0
é
to 70
é
)
Symbol
Parameter
V
DR
Vcc for Data Retention
Test Condition
/CS > Vcc - 0.2V
Min
2.0
Typ
-
Max
3.6
Unit
V
Vcc = 3.0V, /CS > Vcc - 0.2V
Vin > Vcc - 0.2V or < 2.0V
-
-
0.9
I
DR
Data Retention
Current
Vcc = 2.0V, /CS > Vcc - 0.2V
Vin > Vcc - 0.2V or < 2.0V
-
-
0.7
mA
tCDR
tR
Data Retention Set-Up Time
Recovery Time
0
5
-
-
-
-
ns
ms
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM
CS
VDR
CS>Vcc-0.2V
tCDR
tR
VSS
VCC
3.0/2.7V
2.2V
DATA RETENTION MODE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY64UD16322A | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-DF70E | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-DF70I | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-E | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-I | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY6410 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Laser Diode Driver |
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| HY64LD16162M-DF85C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64LD16162M-DF85E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| HY64LD16162M-DF85I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
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