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參數(shù)資料
| 型號： | HY63V8400 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Kx8Bit CMOS FAST SRAM |
| 中文描述： | 512Kx8Bit的CMOS快速靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | HY63V8400 |
HY63V8400 Series
Rev.02 / Jan.99
4
AC TEST CONDITIONS
(Vcc = 3.3V±0.3V, T
A
= 0
°
C to 70
°
C, unless otherwise specified.)
Parameter
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Time
Input and Output Timing Reference Level
Output Load
Value
0V to 3V
3ns
1.5V
See below
AC TEST CONDITIONS
Output Load (A) Output Load (B)
(for tCHZ, tCLZ, tOHZ, tOLZ, tWHZ & tOW)
Note : *Including jig and scope capacitance
CAPACITANCE
Temp = 25
°
C, f= 1.0MHz
Symbol
CIN
C
I/O
Parameter
Condition
V
IN
= 0V
V
I/O
= 0V
Max.
7
8
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Note : This parameter is sampled and not 100% tested
TIMING DIAGRAM
Dout
R
L
=50
Z
o
=
50
V
L
= 1.5V
Dout
353
5pF *
+
3.3V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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