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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62UF16201A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 128Kx16bit full CMOS SRAM |
| 中文描述： | 128Kx16bit充分的CMOS的SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | HY62UF16201A |
HY62UF16201A Series
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1(Note 1,4)
READ CYCLE 2(Note 2,3,4)
tRC
Rev.08 / Mar. 2002
5
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
ADDR
Data
Out
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
tOH
Notes:
A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE, a low /CS1 and low /UB and/or /LB.
2. /OE = V
IL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
/UB and /LB in high for the standby, low for active
/CS
/UB, /LB
Data
Out
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/UB ,/ LB
/OE
tBA
tOE
tCLZ
(3)
tBLZ
(3)
tOLZ
(3)
tCHZ
(3)
tBHZ
(3)
tOHZ
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62UF16201A-I | 128Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16804B | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16804B-DFC | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16804B-DFI | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62V8200B | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62UF16201A-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16201ALLF10IR | 制造商:HYNIX 功能描述:* |
| HY62UF16403A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16|3V|55/70/85|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
| HY62UF16403A-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16403ALLM | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Kx16bit full CMOS SRAM |
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