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參數(shù)資料
| 型號： | HY62UF16201A-I |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 128Kx16bit full CMOS SRAM |
| 中文描述： | 128Kx16bit充分的CMOS的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | HY62UF16201A-I |
HY62UF16201A Series
PACKAGE INFORMATION
48ball Fine Pitch Ball Grid Array Package(F)
BOTTOM VIEW
B
A
A1 CORNER
INDEX AREA
Rev.08 / Mar. 2002
8
TOP VIEW
B1/2
6
5
4
3
2
1
A
A
B
C
D
C
C1
E
F
G
C1/2
C1/2
H
B1/2
B1
SIDE VIEW
5
E1
E2
C
E
SEATING PLANE
4
A
r
3 D(DIAMETER)
[ HY62UF16201AF ] [ HY62UF16201AF1 ]
Symbol
Min.
Typ.
Max.
A
-
0.75
-
B
-
3.75
-
B1
6.90
7.00
7.10
C
-
5.25
-
C1
7.90
8.00
8.10
D
0.3
0.35
0.4
E
-
-
1.10
E1
0.75
0.80
0.85
E2
0.17
-
-
r
-
-
0.12
5. THIS IS A CONTROLLING DIMENSION.
Min.
-
-
5.90
-
7.90
0.3
-
-
0.2
-
Typ.
0.75
3.75
6.00
5.25
8.00
0.35
1.0
0.75
0.25
-
Max.
-
-
6.10
-
8.10
0.4
1.10
-
0.3
0.08
Note
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14. 5M-1994.
2. ALL DIMENSIONS ARE MILLIMETERS.
3. DIMENSION “D” IS MEASURED AT THE MAXIMUM SOLDER
BALL DIAMETER IN A PLANE PARALLEL TO DATUM C.
4. PRIMARY DATUM C(SEATING PLANE) IS DEFINED BY THE
CROWN OF THE SOLDER BALLS.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62UF16804B | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16804B-DFC | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16804B-DFI | 512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62V8200B | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62V8200BLLR1 | HY62V8200B Series 256Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62UF16201ALLF10IR | 制造商:HYNIX 功能描述:* |
| HY62UF16403A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16|3V|55/70/85|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
| HY62UF16403A-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16403ALLM | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62UF16403ALLM-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Kx16bit full CMOS SRAM |
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