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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5V62CF-S |
| 英文描述： | x32 SDRAM |
| 中文描述： | X32號(hào)，內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | HY5V62CF-S |
Rev. 0.4/Nov. 01
9
HY5V62CF
AC CHARACTERISTICS II
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-7
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
RAS cycle time
Operation
tRC
62
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
62
-
70
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
20
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
42
120K
50
120K
ns
RAS precharge time
tRP
20
-
20
-
ns
RAS to RAS bank active delay
tRRD
14
-
20
-
CLK
CAS to CAS delay
tCCD
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
1
-
1
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
4
-
3
-
CLK
DQM to data-out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
CLK
DQM to data-in mask
tDQM
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
1
-
1
-
CLK
Precharge to data
output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V66GF | 4Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M |
| HY5V66GF-H | x16 SDRAM |
| HY5V66GF-P | x16 SDRAM |
| HY5W26CF-B | x16 SDRAM |
| HY57W281620HCT-B | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5V66EF6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
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